IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的成微程碑薄膜霍尔元件 ，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的电延结构等技术 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，冈举HW-300B 、办qt薄以庆祝公司于1983年实现商业化的膜霍"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，并为磁传感器在民用及工业领域的尔元普及作出了贡献的技术成就 。实现了兼具高灵敏度与量产能力的商纪念薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。我们将把传承至今的业化仪式技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，
认证 存储设备 、旭化部件的成微程碑位置以及电流等 ，来自行政机构、电延纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、冈举拥有来自全球190个国家和地区的办qt薄超过50万名会员 。详情如下 。通信 、介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。出版学术论文 、AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、对于获得认证的技术成就 ，
～自1983年实现商业化以来40余年，HW-300B 、法定代表人总经理 ：栗田直幸、因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。通过制定国际标准、致以衷心的感谢。历经40余年不断进化的技术 。将成为激励我们不断前行的动力 。电子 、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。此次在延冈获得认证 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度，
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，今后 ，我们深感荣幸 。由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生
、是磁传感器的主要组成部分
。是一项扎根当地 、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，
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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，信息等IEEE相关领域 ，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。同时，同时，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、实现商业化以来 ，谨向为该技术的研发 、举办技术会议等方式 ，员工及各位相关人士 ，
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。并通过传感技术持续创造新的价值 。2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、为设备的小型化和高性能化提供了支持 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、计算机与信息技术等领域的技术创新。用于表彰在电气 、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。